Muskious
New member
Son periyotta global çip krizi ile küresel enflasyon niçiniyle yenilik geliştirmede yavaşlamalar olacağı ve Moore yasasının rafa kalkacağı tezlerinin tersine Intel maddeyi devam ettirmekte kararlı.
Moore yasası devam edecek
Yeni üretim süreçleri konusunda rakiplerinden çok geriye düşen ve TSMC ile üretim paydaşlığı yapmak zorunda kalan Intel, 8 yıl içerisinde kıymetli adımlar atarak bir daha rekabete katılmayı amaçlıyor.
Intel yaptığı açıklamada Moore yasasını devam ettirebilmek ismine 2030 yılına kadar yeni bir program geliştirdiğini belirtti. Bu programda transistör yoğunlukları 10 kat artarken 3 atom kalınlığında yenilikçi gereçler kullanılacak.
Silikon malzemesinin kısıtlamalarını aşabilmek için dökümcüler farklı malzemeler test ederken verimliliği arttırmak için de yeni dizilim yolları kullanıyor. Samsung ve TSMC yeni süreçlerde birden çok nano irtibat noktasını yan yana değil istifleme halinde dizen GAA teknolojisine geçiş yapmıştı.
Intel ise 4 ve 3nm süreçlerine kadar irtibat noktalarını yan yana istifleme tekniğini kullanırken daha sonrasında ise GAA tekniğine geçmeyi planlıyor. Ayrıyeten PowerVia art kısım güç dağıtım teknolojisi ve RibbonFET teknolojisi ile de verimliliği arttıracak.
Diğer taraftan Ryzen üç boyutlu tekniğine misal biçimde transistörlerin üzerine ferroelektrik kapasitörler ile bellek yerleştiren FeRAM teknolojisi, fazlaca daha verimli güç transferine müsaade verecek 300 milimetre yonga üzeri GaN tekniği de bir daha yakın gelecekte Intel müşterilerine sunulacak.
Moore yasası devam edecek
Yeni üretim süreçleri konusunda rakiplerinden çok geriye düşen ve TSMC ile üretim paydaşlığı yapmak zorunda kalan Intel, 8 yıl içerisinde kıymetli adımlar atarak bir daha rekabete katılmayı amaçlıyor.
Intel yaptığı açıklamada Moore yasasını devam ettirebilmek ismine 2030 yılına kadar yeni bir program geliştirdiğini belirtti. Bu programda transistör yoğunlukları 10 kat artarken 3 atom kalınlığında yenilikçi gereçler kullanılacak.
Silikon malzemesinin kısıtlamalarını aşabilmek için dökümcüler farklı malzemeler test ederken verimliliği arttırmak için de yeni dizilim yolları kullanıyor. Samsung ve TSMC yeni süreçlerde birden çok nano irtibat noktasını yan yana değil istifleme halinde dizen GAA teknolojisine geçiş yapmıştı.
Intel ise 4 ve 3nm süreçlerine kadar irtibat noktalarını yan yana istifleme tekniğini kullanırken daha sonrasında ise GAA tekniğine geçmeyi planlıyor. Ayrıyeten PowerVia art kısım güç dağıtım teknolojisi ve RibbonFET teknolojisi ile de verimliliği arttıracak.
Diğer taraftan Ryzen üç boyutlu tekniğine misal biçimde transistörlerin üzerine ferroelektrik kapasitörler ile bellek yerleştiren FeRAM teknolojisi, fazlaca daha verimli güç transferine müsaade verecek 300 milimetre yonga üzeri GaN tekniği de bir daha yakın gelecekte Intel müşterilerine sunulacak.